“应用材料在芯片中嵌入新的存储器技术”

总部设在圣克拉拉的170亿美元半导体领域材料工程企业应用材料企业今天宣布，将制造一种系统，使新的存储技术能够以原子级精度存储在芯片内。

当今的大容量存储技术(包括dram、sram和闪存)是几十年前发明的，在数字设备和系统中随处可见，该公司表示: 新的记忆，特别是mram、reram、PCRam约定了独特的特征，但都是基于对大量生产极具挑战性的新材料。 这家企业提供了开发的最先进的系统以在工业规模上可靠的方式生产有前途的新产品记忆

使用材料企业的endura平台，可以将多种材料工程技术和车载计量结合起来，创建企业以前无法实现的新薄膜和结构。 应用半导体产品集团高级副总裁兼总经理prabu raja博士表示，这些集成平台证明了新材料和3d架构在为计算领域提供新的改进性能、功耗和价格方面发挥了重要作用

applied的Enduraclovermram (硬盘含磁性材料的磁随机存取存储器，是物联网设备的首选存储器) pvd平台由9个晶片解决方案室组成，集成为高真空条件，

mram存储器至少需要准确堆积30层不同的材料，其中一层是比人类头发薄50万倍的材料，该公司表示。 原子直径的小部分工艺变化严重影响器件的性能和可靠性。 为了测量和监测mram层的厚度，确保原子水平的均匀性，clover mram pvd平台包括在创建时具有亚埃灵敏度的板载测量功能。

mram作为非常高速、耐用的非易失性存储器，期待着替代嵌入式闪存和三级高速缓存sram的物联网和人工智能应用，spin memory的首席执行官tom sparkman表示 我很高兴材料企业的大量制造系统的可用性是对生态系统的巨大推动，与app lied合作提供mram处理程序，加速其使用。

用于pcram和reram的endura impulse pvd平台包括多达9个真空集成的解决方案室和板载测量，用于使用新存储器堆积和控制多组分材料

随着数据生成的急剧增加，云数据中心需要分几个阶段改善连接服务器和存储系统的数据路径的速度和功耗。 该企业表示:。 电阻ram ( reram )和相变ram ( PCR am )是高速、非易失性、低功耗和高密度存储器，可以用作弥补服务器dram和存储之间性价比差异的存储级存储器。

applied表示，与nand和硬盘相比，reram和pcram有可能比dram价格更低，读取性能更快。 reram也是未来内存计算体系结构的主要候选，计算组件集成在内存阵列中，有助于克服与ai计算相关的数据移动瓶颈。 该企业表示:。

reram存储器中采用的新材料的均匀沉积对于实现最高的器件性能、可靠性和耐久性至关重要，crossbar、inc。 首席执行官兼联合创始人george minassian说。 Appliedmaterial Senduraim Pulse PVD系统可以通过这些重要指标实现突破，因此指定通过reram技术、存储和逻辑客户进行板载测量。

评论今天的公告称，ibm研究院人工智能硬件和系统半导体副总裁mukesh khare认为，……随着人工智能时代的要求，芯片的性能和效率不断提高，这些技术诉求不断提高。 新的材料和设备类型对物联网、云和ai产品实现高性能、低功耗的嵌入式存储具有重要意义。 应用材料企业的大量制造处理程序可以在整个领域提高这些新记忆的可用性。