“新的固态存储愿景”

本文讨论了固态存储器和接口技术的最新进展。 其中包括2019年三星技术日的一点公告、pci sig的最新更新、硅谷初创企业memverge的一点见解。

三星在2019年技术日公布了内存和存储产品等新技术。 三星在技术重点上介绍了新的解决方案和存储设备的功能。 该公司发布了具有5g功能的exy nos调制解调器5123的exynos 990高级移动解决方案，并宣布了第3代10纳米级1z-nm dram的批量生产。

从明年开始，该公司的1z-nm dram存储处理程序将用于ddr5、lpddr5、hgm2e和gddr6产品。 12 gblpddr4Xu MCP (基于ufs的多芯片封装)将4个24gb lpddr4x芯片和1个eufs 3.0 nand存储整合到一个封装中，为高端智能手机应用提供了10gb以上的内存 1z-nm dram芯片如下所示。

三星还为下一代存储技术提出了新的商业潜力。 其中包括用于企业第7代v-nand、移动和其他高级存储处理方案的约200个( 1yy )单元层，以及用于未来服务器和存储应用程序的新一代pcie gen5 ssd。 。

pcie特殊利益组织( sig )是作为nvme存储设备基础的pcie总线背后的组织，显示第6代规格的0.3区已走上轨道。 该组织表示，通过在2019年10月提交0.3规范，预计到2021年可以完成最终规范。 下图显示了pcie sig的生成和性能路线图。

pcie 6.0技术将数据速率提高两倍，达到64 gt / s秒，并与所有以前的规格保持向后兼容性。 我们正在进行的两个重要改变包括pam-4(4级脉冲幅度调制)编码和具有提高带宽效率的其他机制的低延迟前向纠错( fec )。

向位于加利福尼亚州米尔皮塔斯市的初创企业的memverge通报。 该公司表示，将提供世界上第一个使用所谓的分布式内存模块( DMO )技术构建的内存集成基础架构( mci )系统。 dmo技术表示，它提供了一个逻辑融合层，利用英特尔新的开放直流永久内存，以完美的内存速度运行以数据为中心的业务负载。 下图显示了memverge对内存整合基础架构平台的设想。

固态存储将数据解决方案纳入新的视野，从而推动接口和新存储体系结构的快速发展。