“英特尔推出用于构建3D和多芯片芯片的封装革新”

英特尔宣布对封装进行创新，以创建将三维芯片封装与其他多个芯片结合的处理方案。

在旧金山举行的semicon west会议之前，英特尔基于先前嵌入式多芯片互连桥( emib )技术和foveros 3d芯片封装的相关信息，分享了最新封装技术的详细信息。

为什么这个非常重要

英特尔表示，芯片封装在电子供应链中始终扮演着重要的角色。 如果没有得到允许。 该封装作为解决方案与主板之间的物理接口，为芯片的电信号和电源提供着陆区域。 随着电子领域向数据中心转型，先进包装将发挥比以往更大的作用。

除了制造过程的最后一步，包装还成为了产品创新的催化剂。 高级封装技术允许在各种工艺技术中集成各种计算引擎，其性能参数类似于单个芯片，但平台的范围远远超出了单个芯片集成的芯片大小限制 英特尔表示，这些技术将提高产品级的性能、功耗和面积，并能全面审视系统架构。

第一个披露是英特尔将其称为emi-emib。 co-emib集emib和移动操作系统技术于一身。 目前生产的产品包括基于英特尔stratix 10现场可编程门阵列( fpga )、radeon图形的第八代英特尔酷睿解决方案和未来的lakefield 10纳米混合cpu架构

EMIB ( EMB )可以连接两个以上的光纤通道( 3d堆叠芯片)组件，创建基本上作为单个芯片工作的芯片组。 这些foveros元件还可以连接到具有非常高带宽和非常低功率的模拟、存储器和其他片。 因此，co-emib封装技术成为大型模具高性能应用的理想选择，否则可能会受到掩模尺寸的限制。

英特尔还提供了全向互联( odi )技术的预览。 作为emi-emib的下一步，odi聚集了最好的emib和foveros，增加了技术创新，为封装中芯片之间的通信提供了巨大的灵活性。

简单地说，堆栈中的顶级芯片可以和emib一样与其他小芯片水平通信。 也可以像foveros一样，通过以下基本模式的tsv连接垂直通信。 另外，odi利用较大的垂直贯通孔，可以从封装基板直接向顶部芯片供电。

公司表示，比以前的tsv大得多，大通孔电阻低，能够为ai和超级计算等高性能数据中心的业务负载提供更强的电力传输、更高的带宽和更低的延迟。 英特尔表示，它是业界第一家开发这种封装技术并将其纳入制造流程的企业。

最后，英特尔分享了一个叫做管理数据输入/输出( mdio )的新芯片到芯片接口的详细信息。 这是一种控制芯片之间接口的phy级通信协议。 据该公司称，mdio计划提供更高的能效，将目前高级接口总线技术提供的针脚速度和带宽密度提高两倍以上，并在年实现可用性。

我们的愿景是开发将芯片和芯片连接到一个封装上，使一个系统的功能一致的最先进的技术。 英特尔企业测试和组装技术开发副总裁babak sabi在声明中说: 异构方法为我们的芯片设计人员提供了前所未有的灵活性，使ip模块和工艺技术与新设备外形规格中的各种存储和i / o组件混合和匹配。 英特尔垂直集成结构提供了无与伦比的联合优化体系结构、流程和包装功能，以在异构集成时代提供特色，并提供业界领先的产品。