“MRAM开发者日为MRAM的快速发展和不断快速发展的市场提供了多个见解”

2019年的mram开发者为mram的快速发展和快速发展的市场提供了多种见解。 mram提供了几个可用作多个应用程序的内存的特征。 kevin conley的主题演讲( everSpinCEO )幻灯片显示，mram承诺作为通用记忆。

延迟是多个应用程序的问题。 亚马逊发现每100毫秒的延迟会使售价下降1%。 谷歌发现，如果一页的读取时间超过500毫秒，网站流量将减少20%。 如果搜索响应有400毫秒的额外延迟，则搜索量将减少近1%。 如果一家证券公司的电子商务平台比竞争对手低5毫秒，每100万美元可能会损失400万美元的收入。 延迟1毫秒的特征每年将达到1亿美元。

独立mram芯片目前最大的应用之一是作为缓存和缓冲器改善响应时间和其他存储设备的延迟 不仅提供缓存，mram也是非易失性的。 这是因为关闭电源时不需要上限。 conley演讲中的幻灯片总结了mram的特点。

mram支持数据中心、互联网边缘和互联网端点，从而加快了各种设备的延迟。 随着5g等高速无线互联网变得更加普遍，这可能变得尤为重要。 这些应用程序大多采用电池和其他有限的电源，mram非易失性特别有用。 下一张幻灯片展示了mram取代了nor闪存，如何诱惑rom和dram，从而提供更可靠、更节能的内存处理方案。

康利预计，stt mram将在5年内提供类似dram的能力，使其能够快速随机访问、无限制的耐用性、10年的数据存储和在汽车等具有挑战性的环境中工作。

mram开发者日主席barry hoberman发表了精彩的介绍演讲，包括展示mram历史的下一张幻灯片，批量生产了2019年22-40nm纳米光刻的1 gb芯片。

tel制造新兴存储(如mram )的设备制造商chang man park表示，实验室员工表示mram的面密度最大为5 tbpsi。 当前的自旋隧道扭矩( stt ) mram取代了计算机l4和l3缓存应用的sram，被称为旋转轨道扭矩( sot )的新的mram技术能够用于l1和l2应用，因此提高了mram的性能

来自barry hoberman的另一张幻灯片显示，sot将成为未来更高级的多功能存储设备的下一代mram。

目前单独的mram产品包括raid系统、ssd和硬盘控制器、前端多gb缓冲区(例如，高性能ssd .mram的最大增长来自嵌入式应用)。 为其芯片提供mram嵌入式存储的第一代工厂包括全球基金、英特尔、三星、台湾积体电路制造和联华电子。

多家半导体设备供应商支持mram的迅速发展。 这包括应用材料、佳能anelva、日立、林、tel。

2019年的新记忆加速了原始科技项目$ 4b销售独立mram的2029年和被添加到多个嵌入式应用程序中。 因此，申诉人正在建立能够将mram转换为通用存储器的基础设施。